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荒木 新吾; 中島 美帆*; 摂待 力生*; 小林 達生*; 大貫 惇睦
Acta Physica Polonica B, 34(2, Part1), p.439 - 442, 2003/02
圧力誘起超伝導体である、反強磁性体CeRhSiの純良単結晶試料の育成に成功し、圧力下での電気抵抗の測定を行った。その結果、多結晶において報告されていた圧力誘起超伝導を、単結晶において初めて観測した。超伝導相は反強磁性が消失する約1GPa近傍の狭い領域のみに存在しており、反強磁性的な磁気ゆらぎが関係していると思われる。低温における電気抵抗はCeRhSiなどの圧力誘起超伝導体でよくみられる非フェルミ液体的挙動は示さず、全ての圧力においてフェルミ液体的な温度依存性を示す。
河原崎 修三*; 佐藤 真直*; 都 福仁*; 千種 唯達*; 渡辺 健二*; 目時 直人; 小池 良浩; 西 正和*
Physical Review B, 61(6), p.4167 - 4173, 2000/02
被引用回数:86 パーセンタイル:93.71(Materials Science, Multidisciplinary)CeRhSi は35Kで反強磁性に転移する。これに10kbar程度の圧力を加えると反強磁性秩序が消失し0.4K以下で超伝導が出現する。この物性の磁気構造の圧力依存性を中性子散乱実験によって調べた。